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J-GLOBAL ID:200903023436159540

透明導電膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松田 正道
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991284457
Publication number (International publication number):1993116941
Application date: Oct. 30, 1991
Publication date: May. 14, 1993
Summary:
【要約】【目的】 安価に低抵抗で高透過率の透明導電膜を安定して形成できる透明導電膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも無機インジウム化合物と、酸素含有率が22at%以上の有機スズ化合物と、インジウムとスズのいずれとも配位可能な有機化合物を含む透明導電膜形成用組成物を、基板に塗布・乾燥した後、還元雰囲気中で、400度以上の温度で焼成することを特徴とする透明導電膜の製造方法である。
Claim (excerpt):
少なくとも無機インジウム化合物と、酸素含有率が22at%以上の有機スズ化合物と、インジウムとスズのいずれとも配位可能な有機化合物を含む透明導電膜形成用組成物を、基板に塗布・乾燥した後、還元雰囲気中で焼成することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
IPC (5):
C01G 19/00 ,  C03C 17/25 ,  C23C 18/12 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

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