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J-GLOBAL ID：200903023437009703
プラズマCVD装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
坂間 暁 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994128665
Publication number (International publication number)：1995330488
Application date： Jun. 10, 1994
Publication date： Dec. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 太陽電池、薄膜半導体、光センサ、等の薄膜製造に用いられるプラズマCVD装置に関し、高速、高品質の薄膜を製造する。【構成】 反応容器1内には中空線材からなるラダー電極2があり、中空線材の下部にはガス吹出孔4が設けられ、吹出孔4を覆い中空線材の下半周面に一定間隔を保ってアースシールド3が設けられる。反応ガスをラダー電極2の吹出孔4より容器1内に満し、高周波電源5より整合器6を介して電極2に電圧を印加するとグロー放電が生じ、電極上面にプラズマを形成し、基板9の表面に非晶質薄膜が形成される。反応ガスは電極2の上面の電磁場強度の強い部分に流れ、高密度プラズマが生じ、アースシールド3により吹出孔に薄膜が堆積することもない。
Claim (excerpt)：
反応容器と、この反応容器内に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグロー放電用電力を供給する電源とを有し、前記反応容器内で前記放電用電極と対向して設置した基板表面に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD装置において、前記放電用電極は複数本の中空線材からなる梯子状の平面形に形成し、同複数本の中空線材の前記基板に対向する面の裏面となる位置にガス吹出孔を設けると共に、同ガス吹出孔と間隙を保って同吹出孔を覆うアースシールドを設けてなり、前記中空線材の空洞にガスを流し、前記吹出孔から噴出させることにより放電用電極にガス導入部を一体化したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2)：
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