Pat

J-GLOBAL ID：200903023441466507

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 中條 直樹 ,  佐野 日隅 ,  小泉 玄太 ,  鈴木 良治 ,  池上 久也 ,  皆川 俊一 ,  酒井 勝彦
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991335244
Publication number (International publication number)：1993167198
Application date： Dec. 18, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 製造が簡単で寿命の長い半導体発光素子及びその製造方法を提供することを可能とする。【構成】 選択的にメサストライプ9を形成した半導体基板1上に、少なくとも前記基板と逆の導電型の電流狭窄層2と、第1クラッド層3と、活性層4と、第2クラッド層5の各層を順次積層した構造において、電流狭窄層2をメサストライプの凸部9を除く領域に積層させ、かつ活性層4がメサストライプの凸部9の直上でたわみなく平板状であることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

選択的にメサストライプを形成した第1の導電型の半導体基板上に、少なくとも前記基板と逆の導電型の第2の導電型の第1層(電流狭窄層)と、第1の導電型の第2層(第1クラッド層)と、第1の導電型又は第2の導電型又はアンドープの第3層(活性層)と、第2の導電型の第4層(第2クラッド層)の各層を順次積層した構造において、第1層をメサストライプの凸部を除く領域に積層させ、かつ第3層がメサストライプの凸部の直上でたわみなく平板状であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/208