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J-GLOBAL ID：200903023454060038

光電変換半導体装置及びその製造方法

Inventor： 佐藤 恵二
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994225420
Publication number (International publication number)：1996088394
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 短波長感度の良い光電変換半導体装置を実現する。【構成】 N- 型半導体基板1に線状にP+ 型不純物領域2が形成され周辺にはアノード電極6が形成されその外側にはカソード電極7が形成され空乏層はP+型不純物領域2の直下に基板に垂直方向に延びるとともに、基板に平行方向にも広がる。

Claim (excerpt)：

第1導電型シリコン半導体基板と第2導電型不純物領域と電極を有する光電変換半導体装置において、空乏層の幅が前記第2導電型不純物領域の幅より広いことを特徴とする光電変換半導体装置。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/225 ,  H01L 31/09

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/00 A