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J-GLOBAL ID:200903023462186334
強磁性トンネル接合素子、磁気ヘッド、及び磁気記憶装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
横山 淳一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007328143
Publication number (International publication number):2009152333
Application date: Dec. 20, 2007
Publication date: Jul. 09, 2009
Summary:
【課題】磁気抵抗変化率が高く、絶縁破壊電圧が高い強磁性トンネル接合構造を有する強磁性トンネル接合素子を提供する。【解決手段】磁化方向が固定可能であり、ホウ素原子を含有する強磁性材料を備える第1固定磁化部と、前記第1固定磁化部の上に配置され、磁化方向が固定可能であり、強磁性材料からなり、該強磁性材料のホウ素原子の含有比が第1固定磁化部よりも小さい第2固定磁化部と、前記第2固定磁化部の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、磁化方向が変化可能であり、強磁性材料からなる第1自由磁化部と、前記第1自由磁化部の上に配置され、磁化方向が変化可能であり、ホウ素原子を含有する強磁性材料を備え、該ホウ素原子の含有比が前記第1自由磁化部よりも大きい、第2自由磁化部とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。【選択図】図1
Claim (excerpt):
磁化方向が固定可能であり、ホウ素原子を含有する強磁性材料を備える第1固定磁化部と、
前記第1固定磁化部の上に配置され、磁化方向が固定可能であり、強磁性材料からなり、該強磁性材料のホウ素原子の含有比が第1固定磁化部よりも小さい第2固定磁化部と、
前記第2固定磁化部の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置され、磁化方向が変化可能であり、強磁性材料からなる第1自由磁化部と、
前記第1自由磁化部の上に配置され、磁化方向が変化可能であり、ホウ素原子を含有する強磁性材料を備え、該ホウ素原子の含有比が前記第1自由磁化部よりも大きい、第2自由磁化部と
を有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
IPC (5):
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, G11B 5/39
, H01F 10/32
FI (5):
H01L43/08 M
, H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/32
F-Term (57):
4M119AA06
, 4M119AA17
, 4M119BB01
, 4M119CC02
, 4M119DD05
, 4M119DD06
, 4M119DD07
, 4M119DD08
, 4M119DD09
, 4M119DD26
, 4M119DD33
, 4M119DD45
, 4M119EE03
, 4M119EE22
, 4M119EE29
, 4M119FF05
, 4M119FF06
, 4M119FF15
, 4M119FF17
, 5D034AA05
, 5D034BA03
, 5D034BA06
, 5D034BA15
, 5D034BB12
, 5E049BA30
, 5E049CB01
, 5F092AA02
, 5F092AA10
, 5F092AB03
, 5F092AB08
, 5F092AC12
, 5F092BB03
, 5F092BB04
, 5F092BB10
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB53
, 5F092BB81
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BC18
, 5F092BC19
, 5F092BC22
, 5F092BC42
, 5F092BE02
, 5F092BE06
, 5F092BE21
, 5F092BE24
, 5F092BE25
, 5F092BE27
, 5F092CA23
, 5F092CA26
Patent cited by the Patent:
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