Pat
J-GLOBAL ID:200903023469802871

ポジ型フオトレジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992023967
Publication number (International publication number):1993224407
Application date: Feb. 10, 1992
Publication date: Sep. 03, 1993
Summary:
【要約】【目的】 特に半導体デバイス等の製造において、高感度で解像力、現像性、耐熱性に優れたレジストパターンが得られるポジ型フオトレジスト組成物を提供する。【構成】 ポジ型フオトレジスト組成物が、アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド化合物及び下記一般式(I)で表される化合物を含有する。【化1】ここで、R1:水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アリールカルボニル基、アシロキシ基、アセトキシ基、アシル基、もしくはアロキシル基、R2:水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、もしくはカルボキシル基、m:1〜4の整数、n:1〜4の整数、を表す。
Claim (excerpt):
アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド化合物及び下記一般式(I)で表される化合物を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】ここで、R1:水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アリールカルボニル基、アシロキシ基、アセトキシ基、アシル基、もしくはアロキシル基、R2:水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、もしくはカルボキシル基、m:1〜4の整数、n:1〜4の整数、を表す。
IPC (4):
G03F 7/022 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

Return to Previous Page