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J-GLOBAL ID：200903023481450786

固体撮像装置及びその製造方法

Inventor： 光地 哲伸 ,  櫻井 克仁 ,  上野 勇武 ,  小泉 徹 ,  樋山 拓己 ,  小川 勝久 ,  須川 成利
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070536
Publication number (International publication number)：1999274443
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 実効開口率を確保するためにマイクロレンズを用い、さらに凸レンズと凹レンズとを組み合わせて開口率を向上することを課題とする。【解決手段】 半導体基板に形成された複数個の光電変換素子と、前記光電変換素子同士の間に層間膜を介して形成された導電膜と、前記光電変換素子及び前記導電膜の上に形成された第1の層間膜と、前記第1の層間膜の上に形成された第2の層間膜と、前記光電変換素子の上部に形成されたマイクロレンズとを備えた固体撮像装置において、前記光電変換素子の上に位置する第1の層間膜の屈折率が前記第2の層間膜の屈折率と異なることを特徴とする。また、前記第1の層間膜の屈折率が、前記第2の層間膜の屈折率より大きいことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された複数個の光電変換素子と、前記光電変換素子同士の間に層間膜を介して形成された導電膜と、前記光電変換素子及び前記導電膜の上に形成された第1の層間膜と、前記第1の層間膜の上に形成された第2の層間膜と、前記光電変換素子の上部に形成されたマイクロレンズとを備えた固体撮像装置において、前記光電変換素子の上に位置する第1の層間膜の屈折率が前記第2の層間膜の屈折率と異なることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 D ,  H04N 5/335 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-211769
  
• 固体撮像素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-214347   Applicant：ソニー株式会社
• 固体撮像装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-241030   Applicant：シャープ株式会社