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J-GLOBAL ID：200903023482169673

高屈折率導電膜、低反射導電膜、およびその製造方法

Inventor： 竹宮 聡 ,  阿部 啓介 ,  森本 剛 ,  平塚 和也 ,  真田 恭宏 ,  久保田 恵子 ,  吉塚 武司
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992154057
Publication number (International publication number)：1993303908
Application date： Apr. 24, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【構成】Zr(OR)m R ́n 、In化合物、Sn化合物を含有する塗布液を塗布後、加熱かつ/または紫外線照射により高屈折率導電膜を形成する。この上にSi化合物含有溶液を用いて低屈折率膜を形成して低反射導電膜を製造する。【効果】蒸着やスパッタリング等のように大がかりな設備を必要とせず、優れた低反射導電膜を製造できる。

Claim (excerpt)：

Zr(OR)mR'n (n+m=4, m=1〜4, n=0〜3 、R および R'=C1〜C4のアルキル基)のモノマーあるいはその重合体のうち少なくとも1種、In化合物、およびSn化合物を含有する塗布液を基体上に塗布した後、加熱かつ/または紫外線照射して高屈折率導電膜を形成することを特徴とする高屈折率導電膜の製造方法。

IPC (3)：

H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01J 29/89