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J-GLOBAL ID：200903023492787456

光半導体装置

Inventor： 神山 博克 ,  嶋田 克実 ,  上西 伸二郎 ,  原田 忠昭 ,  丸橋 隆彦
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994166759
Publication number (International publication number)：1996027253
Application date： Jul. 19, 1994
Publication date： Jan. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】光透過率が高く、しかも耐湿性に優れた光半導体装置を提供する。【構成】下記の混合エポキシ樹脂(A成分),酸無水物系硬化剤(B成分)および硬化促進剤(C成分)を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止した光半導体装置である。〔A成分〕下記の一般式(1)で表されるノボラック型エポキシ樹脂(X)と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(Y)とからなり、上記XおよびYの重量基準の混合割合〔X/(X+Y)×100〕が20〜100に設定されている混合エポキシ樹脂。【化1】

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表されるノボラック型エポキシ樹脂(X)と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(Y)とからなる混合エポキシ樹脂であって、上記XおよびYの重量基準の混合割合〔X/(X+Y)×100〕が20〜100になるように設定されている混合エポキシ樹脂。【化1】(B)酸無水物系硬化剤。(C)硬化促進剤。

IPC (3)：

C08G 59/32 NHQ ,  C08G 59/42 NHY ,  H01L 23/10