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J-GLOBAL ID：200903023492866003

ピン光ダイオード集積能動画素センサー

Inventor： ポール ピー リー ,  ロバート エム ガイダッシュ ,  テー-スアン リー ,  エリック ゴードン スティーブンス
Applicant, Patent owner： イーストマン コダック カンパニー
Agent (1)： 伊東 忠彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996088326
Publication number (International publication number)：1996335688
Application date： Apr. 10, 1996
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【課題】 ピン光ダイオードが能動画素センサーの画像検知要素内に集積される2つの技術(CMOS及びCCD)の最適化を達成する。【解決手段】 ピン光ダイオードは能動画素アーキテクチャー内のプロセス段階で作られる。能動画素ピン光ダイオードないに集積された電荷は転送ゲートにより電荷検知ノード内に転送される。浮遊拡散はそれぞれの画素のアドレッシング能力を提供するCMOS回路に結合される。代替的に埋込チャンネル光コンデンサはピン光ダイオードの代わりに用いられる。

Claim (excerpt)：

ピン光ダイオードを能動画素センサー内に集積する方法であって、基板の主要な表面上に少なくとも1つの導電性層を含む一連のマスク層を有するように第一の導電性型の半導体材料から作られた基板を設け;制御回路が設けられる領域内に第一の導電性型と逆の第二の導電性型の少なくとも一つのウエルを形成し、基板上に能動領域を形成し;少なくとも一つの転送ゲート及び一連の局部相互接続をパターン化し;所定のトランジスタの組に対するソースとドレインの第一の組を表すパターンを形成し、ドレインが転送ゲートに対して自己整列するように各転送ゲートに対して少なくとも一つのドレインを含む電荷検知手段用の構造を形成し;ソースとドレインの第一の組を作るように第一の導電性型と逆の第二の導電性型をインプラントし;転送ゲートに隣接する少なくとも1つの画像検知領域をパターン化し;画像検知領域内に光ダイオードを作るために第二の導電性型の材料をインプラントし;光ダイオードの上に第一の導電性型からなるピン層をインプラントし;トランジスタの所定の組に対するソースとドレインの第二の組を表すパターンを作り;ソースとドレインの第二の組を作るために第一の導電性型をインプラントし;ソースドレインの第一及び第二に組上に所定の接点の組を作る各段階からなる方法。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-243462
  
• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-055953   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置並びにその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-154370   Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社