Pat
J-GLOBAL ID：200903023498305445

非水電解質二次電池の製造方法

Inventor：
岩見 安展

About 岩見 安展

, 
森島 秀樹

About 森島 秀樹


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 大前 要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006097601
Publication number (International publication number)：2007273259
Application date： Mar. 31, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：
【課題】電池の厚み増大を抑制し、且つサイクル特性及び保存特性を向上し得た非水電解質二次電池の製造方法を提供する。【解決手段】N-メチルピロリドンに、正極活物質と、導電剤と、ポリフッ化ビニリデンと、を混合してスラリーを作製する工程と、このスラリーを集電体へ塗布し、乾燥させて正極活物質層を有する乾燥正極板とする工程と、前記乾燥正極板を圧延する工程と、圧延後の乾燥正極板を空気雰囲気中で、Tm-30≦T≦Tm+20(Tmは、圧延後の正極活物質相中のポリフッ化ビリニデンの融点)の温度範囲で、空気雰囲気中1時間以上熱処理する工程と、を備えることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
N-メチルピロリドンに、正極活物質と、導電剤と、ポリフッ化ビニリデンと、を混合してスラリーを調製する工程と、 このスラリーを集電体へ塗布し、乾燥させて正極活物質層を有する乾燥正極板とする工程と、 前記乾燥正極板を圧延する工程と、 圧延後の乾燥正極板を空気雰囲気中で、Tm-30≦T≦Tm+20(Tmは、圧延後の正極活物質相中のポリフッ化ビリニデンの融点)の温度範囲で、空気雰囲気中1時間以上熱処理する工程と、 を備えることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
IPC (2)：
H01M 4/04 ,  H01M 10/40
FI (2)：
H01M4/04 A ,  H01M10/40 Z
F-Term (38)：
5H029AJ04 ,  5H029AJ05 ,  5H029AJ11 ,  5H029AK03 ,  5H029AL07 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ02 ,  5H029BJ14 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ03 ,  5H029CJ08 ,  5H029CJ22 ,  5H029CJ28 ,  5H029DJ08 ,  5H029EJ04 ,  5H029EJ12 ,  5H029HJ14 ,  5H029HJ18 ,  5H050AA07 ,  5H050AA09 ,  5H050AA14 ,  5H050CA08 ,  5H050CB08 ,  5H050DA10 ,  5H050DA11 ,  5H050EA08 ,  5H050EA24 ,  5H050FA05 ,  5H050GA02 ,  5H050GA03 ,  5H050GA10 ,  5H050GA22 ,  5H050GA27 ,  5H050HA14 ,  5H050HA18 ,  5H050HA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM