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J-GLOBAL ID:200903023498339110

反応生成物の処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993083683
Publication number (International publication number):1994302520
Application date: Apr. 12, 1993
Publication date: Oct. 28, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明は半導体製造装置内で生ずる反応生成物の処理方法、特にトラップ装置を用いた反応生成物の処理方法に関し、反応生成物の付着に起因する排気ポンプシステムのトラブルを解消することを目的とする。【構成】 トラップ装置の断面が円形のトラップ1内に、トラップ1の軸を中心として回転可能な、複数のフィンを有する回転フィン2を設け、且つ、トラップ1の内壁と回転フィン2の端面との間に所定の隙間を設け、回転フィン2を回転させて未反応のプロセスガスをトラップ1の内壁に遠心力により衝突させて、冷却されたトラップ1の内壁に、未反応プロセスガスを反応生成物3として析出し、回転フィン2の回転により析出した反応生成物3を掻き取り除去するように構成する。
Claim (excerpt):
半導体製造装置内から排気される未反応プロセスガスを、排気ポンプシステムの前段に設けたトラップ装置を用い、未反応プロセスガスを反応生成物として捕捉排出する反応生成物の処理方法において、該トラップ装置の断面が円形のトラップ(1) 内に、該トラップ(1) の軸を中心として回転可能な、複数のフィンを有する回転フィン(2) を設け、且つ、該トラップ(1) の内壁と該回転フィン(2) の端面との間に所定の隙間を設け、該回転フィン(2) を回転させて未反応のプロセスガスを該トラップ(1) の内壁に遠心力により衝突させて、冷却された該トラップ(1) の内壁に、未反応プロセスガスを反応生成物(3) として析出し、該回転フィン(2) の回転により析出した該反応生成物(3) を掻き取り除去することを特徴とする反応生成物の処理方法。
IPC (2):
H01L 21/205 ,  H01L 21/203
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 特開平2-093070
  • 特開平4-129214
  • 特開平4-006275
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-093070
  • 特開平2-093070
  • 特開平4-006275
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