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J-GLOBAL ID：200903023500054560

半導体装置の製造方法

Inventor： 吉田 正道 ,  木村 真美 ,  村尾 圭子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992055813
Publication number (International publication number)：1993259147
Application date： Mar. 16, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法、特に、シリコンウェーハとその上に気相成長するシリコン膜との界面に不純物が介在しないようにするための前処理方法に関し、シリコンウェーハ表面からボロンを除去し、シリコンウェーハとその上に成長するシリコン膜との界面にボロンを含む層が形成されないようにする前処理方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコンウェーハをマニトールの添加されたフッ酸を使用して洗浄し、洗浄されたシリコンウェーハを空気に晒すことなく乾燥して気相成長装置に搬入し、シリコンウェーハ上にシリコン膜を気相成長するように構成する。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハをマニトールの添加されたフッ酸を使用して洗浄し、該洗浄されたシリコンウェーハを空気に晒すことなく乾燥して気相成長装置に搬入し、前記シリコンウェーハ上にシリコン膜を気相成長する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 351 ,  H01L 21/304 341