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J-GLOBAL ID:200903023501718691

アクティブマトリクス表示装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 晴敏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995291791
Publication number (International publication number):1997113936
Application date: Oct. 13, 1995
Publication date: May. 02, 1997
Summary:
【要約】【課題】 アクティブマトリクス表示装置の組み立て後における欠陥画素の修復を可能にして歩留りを改善する。【解決手段】 透明駆動基板1の内表面8には画素電極4及びこれに信号電圧を書き込む薄膜トランジスタ5からなる画素が集積形成されている。対向基板2の内表面には対向電極7が全面的に形成されている。両基板1,2の間に保持された電気光学物質3は信号電圧に応じて画素毎に白点から黒点に変化するノーマリホワイトモードである。透明駆動基板1の内表面8にはゲート配線9とこれを被覆するゲート絶縁膜10とその上に位置し薄膜トランジスタ5の活性層となる半導体薄膜11が形成されている。又画素電極4は層間絶縁膜13を介して薄膜トランジスタ5に接続している。個々の画素に対応してリペア領域18が設けられており、透明駆動基板1の裏面19からのレーザ加工により溶融して、画素電極4とゲート配線9間を短絡し白点の欠陥画素を黒点に転換して目立たなくする。
Claim (excerpt):
画素電極及びこれに信号電圧を書き込む薄膜トランジスタからなる画素を集積形成した透明駆動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該透明駆動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持され信号電圧に応じて画素毎に白点から黒点に変化する電気光学物質とを備えたノーマリホワイトモードのアクティブマトリクス表示装置であって、前記透明駆動基板の内表面には、ゲート配線と、これを被覆するゲート絶縁膜と、その上に位置し薄膜トランジスタの活性層となる半導体薄膜と、その上の層間絶縁膜を介して該薄膜トランジスタに接続した画素電極と、レーザ加工可能なリペア領域とが設けられており、前記リペア領域は該透明駆動基板の裏面からのレーザ加工により溶融して画素電極とゲート配線間を短絡し白点の欠陥画素を黒点に転換する事を特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
IPC (2):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786
FI (2):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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