Pat

J-GLOBAL ID：200903023507901145

面発光半導体レーザ製造方法

Inventor： 大礒 義孝 ,  黒川 隆志
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995269585
Publication number (International publication number)：1997116223
Application date： Oct. 18, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 直接接着法を用いた電流狭窄構造を有する面発光レーザを提供する。【解決手段】 面発光レーザ製造方法は、第1の導電型を有するGaAs基板10上に第1の光反射鏡11としてのエピタキシャル成長と、InP基板17上にクラッド層14,活性層15,第2の導電型を有するクラッド層16からなる積層構造と、第2の導電型を有するGaAs基板19に第2の光反射鏡18としてのエピタキシャル成長とをそれぞれ形成してなり、前記第1の光反射鏡11であるエピタキシャル成長に酸素を閉領域を残してイオン注入12し、前記第1の反射鏡11と前記InP基板17上の積層構造とを密着させ加熱・接着させ、前記接着する工程を経た前記積層構造から前記InP基板17を除去し、前記InP基板17が除去された前記積層構造と前記第2の光反射鏡18とを密着させ、加熱・接着する工程からなる。

Claim (excerpt)：

第1の導電型を有するGaAs基板上に、第1の導電型及び光学波長の1/4 の膜厚を有するAlx1Ga1-x1As膜とAlx2Ga1-x2As膜(0≦x1,x2≦1)とを交互に積層し第1の光反射鏡を形成する工程と、InP基板上に第1の導電型を有するクラッド層と活性層と第2の導電型を有するクラッド層とを具備する積層構造を、該第1の導電型を有するクラッド層を該InP基板に対向して形成する工程と、第2の導電型を有するGaAs基板に、第2の導電型及び光学波長の1/4 の膜厚とを有するAlx13 Ga1-x3As膜とAlx4Ga1-x4As膜(0≦x3,x4≦1)を交互に積層し第2の光反射鏡を形成する工程と、前記第1乃至は前記第2の光反射鏡にAlGaAsを高抵抗化するイオン種を閉領域を残して注入する工程と、前記第1の反射鏡と前記InP基板上の積層構造とを密着させ加熱することにより接着する工程と、前記接着する工程を経た前記積層構造から前記InP基板を除去する工程と、前記InP基板が除去された前記積層構造と前記第2の光反射鏡とを密着させ、加熱・接着する工程とからなることを特徴とする面発光半導体レーザ製造方法。