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J-GLOBAL ID：200903023521431623

酸化チタン膜の成膜方法

Inventor： 鈴木 すすむ ,  竹田 諭司
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998365140
Publication number (International publication number)：2000192226
Application date： Dec. 22, 1998
Publication date： Jul. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】光触媒活性が高く、耐擦傷性に優れる酸化チタン膜の成膜方法の提供。【解決手段】Tiを含有する金属ターゲットを用いスパッタリング法により酸化チタン膜を成膜する方法において、雰囲気ガスとして、酸素とヘリウムとの混合ガスを用い、ヘリウムの流量を全体の20〜90%とする酸化チタン膜の成膜方法。

Claim (excerpt)：

Tiを含有する金属ターゲットを用いスパッタリング法により酸化チタン膜を成膜する方法において、雰囲気ガスとして、酸素とヘリウムとの混合ガスを用い、ヘリウムを酸素とヘリウムとの総量に対して20〜90体積%とする酸化チタン膜の成膜方法。

IPC (3)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  B01J 35/02

FI (5)：

C23C 14/08 E ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 R ,  C23C 14/34 U ,  B01J 35/02 J

F-Term (20)：

4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA48A ,  4G069CA01 ,  4G069CA11 ,  4G069EA07 ,  4G069EB15X ,  4G069EB15Y ,  4G069ED02 ,  4G069ED03 ,  4G069FB02 ,  4G069FC06 ,  4K029AA09 ,  4K029BA48 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05