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J-GLOBAL ID：200903023524103910

半導体レーザ

Inventor： 佐々井 洋一 ,  横川 俊哉
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995191675
Publication number (International publication number)：1997045997
Application date： Jul. 27, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】 低しきい値電流、単一モード発振可能でかつ長寿命な半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1表面にp型GaAs狭窄層2を形成する。その上にn型ZnSe層3、n型ZnMgSSeクラッド層4、ZnSSe光閉じこめ層5aとZnCdSe量子井戸型層5bとZnSSe光閉じこめ層5cからなる活性層5、p型ZnMgSSeクラッド層6、p型ZnSSeキャップ層7、p型ZnSeTeコンタクト層8を形成する。その後GaAs基板1に形成したストライプと平行かつ直上に、ウエハー表面からp型ZnMgSSeクラッド層6までメサエッチングする。そのメサ側面にクラッド層6よりも低屈折率を有するZnO化合物半導体を形成する。これにより、レーザに流れる電流領域は広がることなく制限され、ストライプ外にある結晶欠陥に対して流れる電流は抑制され、長寿命かつ低電流動作で単一モードレーザが実現する。

Claim (excerpt)：

第一の導電型の化合物半導体基板と、前記基板上に第一の導電型のZnMgSSe系半導体からなる第一のクラッド層と、前記第一のクラッド層上の第一のZnSSe系光ガイド層とZnCdSe量子井戸層と第二のZnSSe系光ガイド層とを有する発光層と、前記発光層上の第二の導電型のZnMgSSe系半導体からなる第二のクラッド層とを有し、前記第一の導電型の化合物半導体基板の表面には、ストライプ状にその両側が第二の導電型となっていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/363