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J-GLOBAL ID：200903023534847608

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 田中 和雄
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998098516
Publication number (International publication number)：1999284186
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 セルフアラインコンタクト構造並びにシリサイド構造を有し、配線密度を高めより微細化を達成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、シリコン基板10の主面上にゲート絶縁層14を介して形成され、ドープドポリシリコン層からなるゲート電極層16、シリコン基板の主面表面部に形成された不純物拡散層20a,20b、ゲート電極層の表面に形成された第1金属シリサイド層18、不純物拡散層の表面に形成された第2金属シリサイド層22a,22b、ゲート電極層および第1金属シリサイド層の表面に形成された絶縁層300、この絶縁層300をマスクとして不純物拡散層の少なくとも一部が露出するコンタクトホールCHが形成された層間絶縁層100、およびコンタクトホール内に形成された配線層50を有する。を含む半導体装置。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の主面上に絶縁層を介して形成され、シリコンを含む導電層、前記シリコン基板の主面表面部に形成された不純物拡散層、前記導電層の表面に形成された第1金属シリサイド層、前記不純物拡散層の表面に形成された第2金属シリサイド層、前記導電層および前記第1金属シリサイド層の表面に形成された絶縁層、前記不純物拡散層の少なくとも一部が露出するコンタクトホールが形成された層間絶縁層、および前記コンタクトホール内に形成された配線層、を含む半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 P