Pat

J-GLOBAL ID：200903023537745938

単結晶SiCおよびその製造方法

Inventor： 谷野 吉弥 ,  平本 雅信
Applicant, Patent owner： 日本ピラー工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 孝一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998101492
Publication number (International publication number)：1999292698
Application date： Apr. 13, 1998
Publication date： Oct. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】 格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に少ない高品位の単結晶を非常に生産性よく製造することができるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基板1とβ-SiC多結晶板2とを互いに積層固定させた後、それらα-SiC単結晶基板1及びβ-SiC多結晶板2を不活性ガス雰囲気、かつ、SiC飽和蒸気雰囲気下で熱処理することにより、β-SiC多結晶板2の固相変態による単結晶化及び接触点を起点とする面方向への単結晶化の進行によりβ-SiC多結晶板2の積層面全域をα-SiC単結晶基板1と一体に単結晶化して大きな単結晶SiCに一体に育成する。

Claim (excerpt)：

SiC単結晶基板とSiC多結晶板とを互いに積層固定させた状態で、大気圧以下の不活性ガス雰囲気、かつ、SiC飽和蒸気雰囲気下で熱処理することにより、上記SiC多結晶板を単結晶に固相変態させて上記SiC単結晶基板と一体に成長されていることを特徴とする単結晶SiC。