多波長半導体レーザ装置とその製造方法及び波長多重光伝送装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮越典明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999183639
Publication number (International publication number)：2001015858
Application date： Jun. 29, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 1つの半導体素子で多波長の安定したレーザ発振を得て、波長多重光伝送装置を小型化、低消費電力化する。【解決手段】 MQW活性層1とグレーティング部2とを二つのクラッド層3,4で挟んだ構造を有する多波長半導体レーザ装置10において、グレーティング部2は、複数の波長のレーザ光6の各々の発振波長にそれぞれ対応したピッチ間隔を有する複数の回折格子5a,5b,5c,5dで形成され、MQW活性層1は、複数のウエル層8a,8b,8c,8dを有し、これらのウエル層は、異なった厚さでそれぞれ形成される。

Claim (excerpt)：

MQW活性層とグレーティング部とを、二つのクラッド層で挟んだ構造を有する多波長半導体レーザ装置において、前記グレーティング部は、複数の波長のレーザ光の各々の発振波長にそれぞれ対応したピッチ間隔を有する複数の回折格子で形成され、前記MQW活性層は、複数のウエル層を有し、該複数のウエル層は、異なった厚さでそれぞれ形成されること、を特徴とする多波長半導体レーザ装置。

F-Term (7)：

5F073AA44 , 5F073AA64 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073AA89 , 5F073BA02 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-240791
特開昭62-144388
特開昭62-269388

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