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J-GLOBAL ID：200903023572666846
半導体製造装置およびデバイス製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998017681
Publication number (International publication number)：1999204390
Application date： Jan. 14, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 非常事態の発生による装置の停止からの回復・復帰までの時間を短縮し、より効率的なデバイス製造が行えるようにする。【解決手段】 非常事態の発生により装置が停止したときに停止時における装置での処理段階および装置各部の状態に関する情報を取得する状態取得手段310、380と、前記非常事態が終了したことを検出する検出手段320、330、340と、前記停止時における装置の処理段階に応じて装置各部に所定の指令を送り回復処理を行う回復処理手段310、350、360、380と、この回復処理の後あるいはこの回復処理と並行して、前記停止時の装置各部の状態に装置各部を復帰させるべく装置各部に指令を送る復帰処理手段とを備える。
Claim (excerpt)：
非常事態の発生により装置が停止したときに停止時における装置での処理段階および装置各部の状態に関する情報を取得する状態取得手段と、前記非常事態が終了したことを検出する検出手段と、前記停止時における装置の処理段階に応じて装置各部に所定の指令を送り回復処理を行う回復処理手段と、この回復処理の後あるいはこの回復処理と並行して、前記停止時の装置各部の状態に装置各部を復帰させるべく装置各部に指令を送る復帰処理手段とを具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/02 Z
, H01L 21/30 502 G
