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J-GLOBAL ID：200903023576956709

半導体装置の製法

Inventor： 秋月 伸也 ,  桑村 誠 ,  池村 和弘 ,  福島 喬 ,  首藤 伸一朗 ,  伊藤 達志
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995047566
Publication number (International publication number)：1996250548
Application date： Mar. 07, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】耐湿信頼性に優れた常温で固体のエポキシ樹脂系封止材料により、樹脂封止作業が容易な半導体装置の製法を提供する。【構成】基板2の配線電極に、半田4を介して半導体素子5の電極部を当接し搭載する。ついで、常温で固体の封止用樹脂組成物(A)を上記基板2の素子5搭載面に載置して加熱溶融することにより、上記基板2と半導体素子5との空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂組成物を充填・硬化させて上記基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層6を形成する。(A)下記の(a)〜(c)成分を含有し、上記(c)成分の含有割合が封止用樹脂組成物全体の50〜90重量%の範囲に設定された封止用樹脂組成物。(a)エポキシ樹脂。(b)ノボラック型フェノール樹脂。(c)最大粒径が30μm以下に設定されたシリカ粉末。

Claim (excerpt)：

配線回路基板の配線電極に、半田を介して半導体素子の電極部を当接して加熱することにより基板に半導体素子を搭載し、ついで、常温で固体の封止用樹脂組成物(A)を上記基板の素子搭載面に載置して加熱溶融することにより、上記基板と半導体素子との空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂組成物を充填・硬化させて上記基板と半導体素子との空隙を樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製法。(A)下記の(a)〜(c)成分を含有し、上記(c)成分の含有割合が封止用樹脂組成物全体の50〜90重量%の範囲に設定された封止用樹脂組成物。(a)エポキシ樹脂。(b)ノボラック型フェノール樹脂。(c)最大粒径が30μm以下に設定されたシリカ粉末。