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J-GLOBAL ID：200903023593133686

面型発光素子およびその製造方法

Inventor： 川上 剛司 ,  門田 好晃 ,  小濱 剛孝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992039171
Publication number (International publication number)：1993235473
Application date： Feb. 26, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】発光領域が微細で、レーザ発振のしきい値が低く、かつ低抵抗で高性能の面型発光素子や面型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【構成】発光層を含むキャビティ領域と上部ミラーとの整合性を容易に、かつ完全にするために上部ミラーには半導体多層膜ミラーを使用し、下部ミラーからキャビティ領域および上部ミラーまでを、1回のエピタキシャル成長により連続して形成する。さらに、イオン注入の電圧を小さくして活性層へのダメージを極小さく抑え、かつ微細構造の発光領域および光学的ガイド構造を容易に形成するため、半導体多層膜からなる上部ミラーをメサエッチングして活性層までの距離を短くする。また、イオン注入および電極形成の際には、メサ部をイオン注入のマスクとしてセルフアライン的に行う。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、半導体多層膜からなる第1の半導体ミラーと、活性層を含むキャビティ領域と、上記第1の半導体ミラーとは異なる半導体多層膜からなる第2の半導体ミラーとを少なくとも備え、基板に対し垂直方向に発光もしくはレーザ発振する面型発光素子であって、上記第2の半導体ミラーは凸部を有する形状となし、該第2の半導体ミラーの凸部の周辺部で、その層厚方向の活性層近傍に半絶縁領域を設定し、上記第2の半導体ミラーの凸部の周辺部に電流注入用の電極を有する構造としたことを特徴とする面型発光素子。