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J-GLOBAL ID:200903023599224586
反射防止膜材料、これを用いた反射防止膜及びパターン形成方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004165524
Publication number (International publication number):2005018054
Application date: Jun. 03, 2004
Publication date: Jan. 20, 2005
Summary:
【課題】 レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基板加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。【解決手段】 (A)下記一般式(1)及び/又は下記一般式(2)で表される共重合によるくり返し単位を有する高分子化合物と、(B)有機溶媒と、(C)酸発生剤とを含有する反射防止膜材料を提供する。【化1】【選択図】 なし
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で表される共重合によるくり返し単位を有することを特徴とする高分子化合物と、
IPC (2):
FI (2):
G03F7/11 503
, H01L21/30 574
F-Term (49):
2H025AA17
, 2H025AB16
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025DA34
, 2H025FA35
, 2H025FA39
, 4J246AA03
, 4J246AA06
, 4J246AA11
, 4J246AA19
, 4J246AB06
, 4J246AB15
, 4J246BA020
, 4J246BA040
, 4J246BA12X
, 4J246BA120
, 4J246BB02X
, 4J246BB020
, 4J246BB022
, 4J246BB450
, 4J246BB451
, 4J246CA13U
, 4J246CA13X
, 4J246CA130
, 4J246CA350
, 4J246CA390
, 4J246CA40X
, 4J246CA400
, 4J246CA53X
, 4J246CA560
, 4J246CA640
, 4J246CA68X
, 4J246CA680
, 4J246CA690
, 4J246CB08
, 4J246FA081
, 4J246FA131
, 4J246FA421
, 4J246FA441
, 4J246FB211
, 4J246GA01
, 4J246GB33
, 4J246GC25
, 4J246GC26
, 4J246GD08
, 4J246HA15
, 4J246HA23
, 5F046PA07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (23)
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リソグラフィー用下地材
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-244050
Applicant:東京応化工業株式会社
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特開平57-131250号公報
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特開昭56-129261号公報
-
特許第3287119号公報
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レジスト下層膜用組成物の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-197300
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
レジスト下層膜用組成物およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-197302
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
特許第3118887号公報
-
レジスト下層膜用組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-163215
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
シリカ基材非反射性平面化層
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-261270
Applicant:エヌ・シー・アール・コーポレイシヨン
-
パターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-287666
Applicant:三菱電機株式会社
-
反射防止ハードマスク組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-174636
Applicant:シップレーカンパニーエルエルシー
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特公平7-69611号公報
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反射防止膜形成用組成物及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-265408
Applicant:東京応化工業株式会社
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反射防止膜形成用組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-022674
Applicant:東京応化工業株式会社
-
米国特許第6420088号
-
フォトリソグラフィ用スピンオンガラス反射防止コーティング
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-503571
Applicant:ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド
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米国特許第5294680号
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ハレーション止め組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-328816
Applicant:シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド
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反射防止膜およびレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-288131
Applicant:日本合成ゴム株式会社
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リソグラフィー用下地材及びそれを用いた多層レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-040523
Applicant:東京応化工業株式会社
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反射防止組成物及びレジストパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-273963
Applicant:三菱化学株式会社
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ポリシランおよびパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-336655
Applicant:株式会社東芝
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特開昭57-83563号公報
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Cited by examiner (4)