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J-GLOBAL ID：200903023604083384

半導体発光素子、光学検知装置、光学的情報検知装置、投光器及び光ファイバーモジュール

Inventor： 今本 浩史 ,  柳ケ瀬 雅司 ,  今仲 行一 ,  清本 浩伸
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994037729
Publication number (International publication number)：1995226535
Application date： Feb. 09, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【構成】 GaAs基板1と活性層4の間に半導体多層反射膜層14を形成する。多層反射膜層14にあっては、屈折率n1のAlAs層14aと屈折率n2のAlXGa1-XAs(x=0.45)層からなり、AlAs層14aの膜厚合計50.8539nmはλ0/(4n1)=54.2951nmよりも小さく、各膜厚はばらついている。また、AlXGa1-XAs(x=0.45)層14bの膜厚合計50.9001nmは膜厚λ0/(4n2)=48.0218nmよりも大きく、各膜厚はばらついている。また、両膜厚合計の和50.8539nm+50.9001nm=101.7540nmはλ0(n1+n2)/(4n1・n2)=102.3170nmとほぼ等しい。【効果】 半導体多層反射膜層による反射スペクトルのワイドレンジ化を図り、反射効率を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

再結合発光する機能を持つp-n接合部と、当該p-n接合部で発光した光を外部に取り出すための表面層と、屈折率が互いに異なり、かつ当該p-n接合部の屈折率よりも小さな2種の半導体層をヘテロ接合させた単位半導体層を繰り返し積層し、前記p-n接合部の表面層と反対側に配置した多層反射膜層とを有する半導体発光素子において、前記p-n接合部での発光波長をλ0とし、前記単位半導体層を構成する各半導体層の屈折率をn1,n2(n1≠n2)とするとき、屈折率n1の半導体層の膜厚の合計がλ0/(4n1)よりも薄く、屈折率n2の半導体層の膜厚の合計がλ0/(4n2)よりも厚くなっていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18