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J-GLOBAL ID:200903023605579740

液晶表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西野 卓嗣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992041201
Publication number (International publication number):1993241193
Application date: Feb. 27, 1992
Publication date: Sep. 21, 1993
Summary:
【要約】【目的】 近年の液晶表示装置は、何十万もの画素数を達成している。しかしゲートやゲートライン上の絶縁層にたった1個のピンホールが生じても容認されない。本願は、このピンホールが有っても良品として救済し、歩留りを向上する事を目的とする。【構成】 絶縁層(6)のピンホールに対応したゲートやゲートラインは、抵抗の低いAl(3)を主材料として設けられ、このAlの下層に陽極酸化可能な金属(2)、例えばTaを設けられる。Taの表面に設けられる酸化膜(5)は、Alの陽極酸化のときに形成され、その結果、ピンホールが形成されても不良品とならない。
Claim (excerpt):
透明な絶縁性基板上に形成されたアルミニウムよりなるゲートと、このゲートと同一材料で且つ一体で形成されたゲートラインと、このゲートおよびゲートラインに形成された陽極酸化膜と、前記ゲートおよびゲートラインを覆うゲート絶縁膜と、前記ゲートを1構成とするTFTの活性層に形成されたノンドープの非単結晶シリコン膜と、前記TFTのソースおよびドレインに対応する前記ノンドープの非単結晶シリコン膜に設けられた高濃度にドープされた非単結晶シリコン膜と、前記ソースに対応するドープされた非単結晶シリコン膜と前記TFTの近傍に形成された表示電極とを電気的に接続するソース電極と、前記ドレインに対応する前記ドープされた非単結晶シリコン膜と電気的に接続され前記ゲートラインと交差する方向に延在されたドレイン電極およびドレイン電極と一体のドレインラインとを少なくとも有する液晶表示装置において、前記アルミニウムよりなるゲートまたは/およびゲートラインの下層に陽極酸化可能な金属を設けたことを特徴とした液晶表示装置。
IPC (4):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784
FI (2):
H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開平3-001572
  • 特開昭62-109957

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