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J-GLOBAL ID：200903023610762838

透明性導電膜およびその製造方法

Inventor： 大山口 まき子 ,  笹川 孝市
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995150009
Publication number (International publication number)：1997003628
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 低い抵抗率でかつ高透過率を有し、さらに透明性導電膜上に形成される他の膜との密着性に優れた透明性導電膜及び製造法を提供する。【構成】 絶縁物または絶縁物に被覆された基板上に成膜された酸化インジウム及び酸化錫を含む透明性導電膜100の透過率が膜厚:50〜500nm、波長350〜800nmにおいて常に80%以上であり、かつ前記導電膜の表面粗さ(RMS)が0.5〜1.3nmである。

Claim (excerpt)：

絶縁物または絶縁物に被覆された基板上に成膜された酸化インジウム及び酸化錫を含む透明性導電膜において、該導電膜の透過率が膜厚:50〜500nm、波長350〜800nmにおいて常に80%以上であり、かつ前記導電膜の表面粗さ(RMS)が0.5〜1.3nmであることを特徴とする透明性導電膜。

IPC (3)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/32 ,  H01B 13/00 503

FI (3)：

C23C 14/08 D ,  C23C 14/32 Z ,  H01B 13/00 503 B