液晶表示用TFTアレイ基板の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：武田元敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242971
Publication number (International publication number)：1995106584
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】大画面化TFTアレイでも、容易にゲート電極の平坦化を行うことができるようにして後工程での段差部の断線をなくす。【構成】液晶ディスプレイの薄膜トランジスタアレイのゲート電極2が半導体層5より下部に形成する際、ゲート絶縁体層4を形成する前に、ゲートパターンを施したレジストを残したまま、珪弗化水素酸をSiO2で過飽和状態にした溶液に浸漬させ、硼酸あるいはAlにより基板上にSiO2を析出させる。その後、レジストを剥離した基板を用いてTFTアレイの後工程を流し、ゲート絶縁体層4,半導体層5,保護絶縁体層6を成膜し、そして不純物半導体層7,画素電極8,ソース・ドレイン電極9を作成する。

Claim (excerpt)：

液晶ディスプレイの薄膜トランジスタアレイのゲート電極が半導体層より下部に形成する際、ゲート絶縁体層を形成する前に、ゲートパターンを施したレジストを残したまま、珪弗化水素酸をSiO2で過飽和状態にした溶液に浸漬させ、硼酸あるいはAlにより基板上にSiO2を析出させ、ゲート電極を平坦化する工程を少なくとも有していることを特徴とする液晶表示用TFTアレイ基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭61-181164
特開平4-139743
特開平3-021043

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