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J-GLOBAL ID:200903023618484144

レジスト塗布装置及び塗布方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 武 顕次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994034736
Publication number (International publication number):1995245255
Application date: Mar. 04, 1994
Publication date: Sep. 19, 1995
Summary:
【要約】【目的】 特に念入りに調整することなく、安定して均一な膜厚が両面同時に得られ、また、確実にウェハ下面にレジストを塗布できるようにする。【構成】 ウェハ1は爪2により把持され、チャック機構3とともに水平面内で高速回転する。このとき爪2が起こす気流がウェハ面上のレジストの飛散を妨げないよう、爪2の垂直部分2aの回転軌道はウェハ1の径より大きく設定される。ウェハ1の上面にレジストを供給するノズル9は、シャフト6の中心孔内にあり、整流板12によりこの中心孔からの気流は、直接ウェハ1の上面に当たらないようにしてある。また、ウェハ1の下面に対向して複数本のノズル13を設け、下面1b全面にレジスト液を供給する。中心部は周速度が遅く遠心力によるレジスト液の広がりが悪いため、ノズル13の間隔を密にしている。
Claim (excerpt):
半導体ウェハを水平な状態で把持する手段と、半導体ウェハをその中心を回転中心として水平面内で回転させる手段と、半導体ウェハの上面にレジスト液を供給する手段とを備え、半導体ウェハの表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置において、前記半導体ウェハを水平に把持する手段がウェハ外周部をウェハ中心に向かって押え付ける複数の爪からなり、前記複数の爪の半導体ウェハの回転平面を横切る部分の回転半径が、少なくともこれら複数の爪によって回転時に生じる気流によってレジスト液の振り切りを阻害しない距離だけ前記半導体ウェハの回転半径より大きく設定されていることを特徴するレジスト塗布装置。
IPC (5):
H01L 21/027 ,  B05C 5/00 101 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/16 502
FI (2):
H01L 21/30 564 C ,  H01L 21/30 564 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-320022
  • 特開昭58-100425
  • 特開昭59-112872
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