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J-GLOBAL ID：200903023621601003

無電解めっき方法

Inventor： 安藤 節夫 ,  野口 利光 ,  竹原 裕子 ,  井上 隆史 ,  太田 敏彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998357247
Publication number (International publication number)：2000178753
Application date： Dec. 16, 1998
Publication date： Jun. 27, 2000
Summary：

【要約】【課題】無電解めっき後に発生する異常析出により配線間ショート不良が発生することを防止することを発明の課題とする。【解決手段】めっき工程直前に、被めっき物の絶縁体表面の接触角を低下させる表面改質処理を施すことにより、絶縁体表面への異常析出の核吸着を抑制する。

Claim (excerpt)：

めっき工程前に、被めっき物の絶縁体表面の接触角を低下させる表面改質処理を施すことを特徴とする無電解めっき方法。

IPC (2)：

C23C 18/20 ,  H05K 3/18

FI (3)：

C23C 18/20 A ,  C23C 18/20 Z ,  H05K 3/18 A

F-Term (27)：

4K022AA13 ,  4K022AA42 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022CA03 ,  4K022CA05 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022CA12 ,  4K022CA21 ,  4K022CA22 ,  4K022CA28 ,  4K022CA29 ,  4K022DA01 ,  4K022DA03 ,  5E343AA12 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB55 ,  5E343CC46 ,  5E343DD25 ,  5E343DD33 ,  5E343EE32 ,  5E343EE36 ,  5E343EE37 ,  5E343GG08 ,  5E343GG20