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J-GLOBAL ID：200903023628205294

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 須山 尚宏 ,  ▲吉▼田 智彦 ,  細羽 弘之 ,  大林 健 ,  近藤 雅文 ,  兼岩 進治 ,  幡 俊雄
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992135380
Publication number (International publication number)：1993335681
Application date： May. 27, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 閾値電流が低く、高出力においても高い微分効率で安定して基本横モード発振することができ、信頼性に優れる半導体発光素子を提供する。【構成】 活性層4の上方に積層形成された第3クラッド層9の両側を該第3クラッド層9の屈折率より小さい屈折率を有する埋込層14で覆うことによって、実屈折率差による第1の屈折率導波路が形成されている。さらにこの埋込層14の両側に光吸収層13を形成することにより、第2の屈折率導波路が形成されている。活性層4にて発生した光の基本横モードはその大部分が内側の第1の導波路によって閉じ込められる。高次横モードは基本モードに比べ接合面に平行な方向へのしみだしが大きく、光吸収層4による損失が大きくなるため、結果として安定な基本横モードが発振が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層がこの順に積層形成され、該第2クラッド層上に、突出形成されたストライプ状の第3クラッド層を有し、この第3クラッド層の両側に該第3クラッド層の屈折率より小さい屈折率を有する埋込層が形成され、さらに該埋込層の両側に光吸収層が形成された半導体レーザ素子。