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J-GLOBAL ID：200903023653499260

加熱装置及び加熱方法並びに半導体装置の製造方法

Inventor： 鮫島 俊之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994058187
Publication number (International publication number)：1995245311
Application date： Mar. 03, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】短時間でしかも均一に非加熱物を加熱することができ、しかも加熱時に被加熱物に損傷が生じ難い加熱装置及び加熱方法を提供する。【構成】加熱装置は、(イ)加熱チャンバ10と、(ロ)分解可能なガスあるいは反応可能な2種類以上のガス混合体を加熱チャンバに供給するためのガス供給系と、(ハ)加熱チャンバ内のガスを分解・反応させるためのエネルギー供給装置30と、(ニ)開閉可能なシャッター12を介して加熱チャンバ10と連通した被加熱物保持室11から成る。加熱方法は、かかる加熱装置を用い、(イ)シャッターを閉じた状態で、被加熱物保持室内に被加熱物を配置し、併せて、加熱チャンバ内をガス雰囲気とし、(ロ)その後、加熱チャンバ内でガスを分解・反応させ、次いで、シャッターを開いて反応したガスを被加熱物保持室内に導入し、反応したガスが生成した熱によって被加熱物を直接加熱する。

Claim (excerpt)：

(イ)加熱チャンバと、(ロ)分解可能なガスあるいは反応可能な2種類以上のガス混合体を加熱チャンバに供給するためのガス供給系と、(ハ)加熱チャンバ内に充填されたガスを分解あるいは反応させるためのエネルギーを該ガスに供給するエネルギー供給装置と、(ニ)開閉可能なシャッターを介して加熱チャンバと連通した、被加熱物を加熱するための被加熱物保持室、から成ることを特徴とする加熱装置。