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J-GLOBAL ID：200903023653946959

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 横山 孝司 ,  宇佐美 達矢
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998229708
Publication number (International publication number)：2000058536
Application date： Aug. 14, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 酸素プラズマ処理等により上昇した層間絶縁膜の比誘電率を低下させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上にSi-H結合又はSi-CH3結合を有する化学式で表される絶縁体を含有する層間絶縁膜8を形成する。その後、層間絶縁膜8上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを所定の形状にパターニングする。次いで、前記フォトレジストをマスクとして層間絶縁膜8をドライエッチングする。次に、前記フォトレジストを除去する。そして、水素ガスの体積を窒素ガスの体積の2乃至80%として、窒素ガス及び水素ガスを前記半導体基板が配置されたチャンバ内に導入し層間絶縁膜8を窒素プラズマ及び水素プラズマに曝す。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された配線層と、この配線層を被覆する窒化膜と、この窒化膜上に形成され前記配線層まで達する開口部を有しSi-H結合又はSi-CH3結合を有する化学式で表される絶縁体を含有する層間絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/312 N ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 K

F-Term (42)：

5F033AA02 ,  5F033AA04 ,  5F033BA13 ,  5F033BA15 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033CA09 ,  5F033DA05 ,  5F033DA06 ,  5F033DA15 ,  5F033DA35 ,  5F033DA36 ,  5F033EA03 ,  5F033EA05 ,  5F033EA06 ,  5F033EA12 ,  5F033EA28 ,  5F033EA29 ,  5F033EA32 ,  5F033FA03 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD07 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF46 ,  5F058BF80 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-330796   Applicant：三菱電機株式会社