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J-GLOBAL ID：200903023666864404

多結晶シリコンの洗浄方法

Inventor： 庭山 正 ,  桝井 積 ,  山本 誠剛 ,  浅子 喜一郎 ,  清水 敬也 ,  横田 修二
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991180339
Publication number (International publication number)：1993004811
Application date： Jun. 25, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 洗浄液の劣化や変色がなく、かつ温度コントロールが容易に行なえ、容易にかつ生産性高く安全にシリコン酸化膜や不純物を多結晶シリコンまで溶解することなく除去することができる多結晶シリコンの洗浄方法を提供する。【構成】 チョクラルスキー単結晶引き上げ法の前工程として多結晶シリコンをフッ化水素酸、過酸化水素および水の混合溶液で洗浄する。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー半導体シリコン単結晶引き上げ法の前工程として高純度多結晶シリコンをフッ化水素、過酸化水素および水の混合溶液で処理する多結晶シリコンの洗浄方法であって、その混合溶液が濃度50重量%フッ化水素酸水溶液1に対して濃度31重量%過酸化水素水0.03〜4、水1〜10の容量比で混合調整された混合溶液の当該各成分重量比と同一の混合溶液であることを特徴とする多結晶シリコンの洗浄方法。

IPC (2)：

C01B 33/02 ,  C30B 33/10