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J-GLOBAL ID：200903023670530693

薄膜デバイスの絶縁膜形成方法

Inventor： 中東 孝浩 ,  桑原 創
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992019198
Publication number (International publication number)：1993218005
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 薄膜デバイスの絶縁膜形成方法であって、比較的低温で、しかも従来よりもステップカバリッジにすぐれ、より平坦な絶縁膜を従来より高速で形成することができる方法を提供する。【構成】 有機シラン-O2 系ガスを原料ガスとするプラズマCVD法を採用し、前記原料ガスのプラズマ化をパルス変調をかけた高周波電力の印加により行い、該高周波電力の印加とともに絶縁膜を形成すべき物品に高周波バイアスを印加する薄膜デバイスの絶縁膜形成方法。

Claim (excerpt)：

有機シラン-O2 系ガスを原料ガスとするプラズマCVD法を採用し、前記原料ガスのプラズマ化をパルス変調をかけた高周波電力の印加により行い、該高周波電力の印加とともに絶縁膜を形成すべき物品に高周波バイアスを印加することを特徴とする薄膜デバイスの絶縁膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-248955
  
• 特開昭62-218041