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J-GLOBAL ID：200903023689059126

マスク・フィールドを備えた膜マスクの製造方法

Inventor： トーマス・バイヤー ,  ヨハン・グレシュナー ,  ザムエル・カルト ,  クラウス・マイスナー ,  ハンス・プファイファー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998053012
Publication number (International publication number)：1998261584
Application date： Mar. 05, 1998
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 薄い支持壁によって境界が区切られたマスク・フィールドを備える膜マスクの製造方法。【解決手段】 マスク・フィールド8と、単結晶シリコン・ボディによって形成され、膜2によって被われた支持壁1とを備えるマスクを製造する。支持壁1は本質的に異方性プラズマ・エッチング・プロセスによって形成し、支持壁を被覆する膜2に達する直前にウェット・エッチング・ステップを行い、支持壁をシリコン・ボディの(100)方向に対して平行に配置する。

Claim (excerpt)：

マスク・フィールドと、単結晶シリコン・ボディによって形成され、膜(2)によって被われた支持壁(1)とを備えるマスクの製造方法であって、支持壁(1)を本質的に異方性プラズマ・エッチング・プロセスによって形成し、支持壁を被覆する膜(2)に達する直前にウェット・エッチング・ステップを行うことを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (3)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A ,  G03F 1/16 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-015923
  
• 特開平3-110820