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J-GLOBAL ID:200903023693354108
6軸力覚センサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
渡辺 三彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002199037
Publication number (International publication number):2004045044
Application date: Jul. 08, 2002
Publication date: Feb. 12, 2004
Summary:
【課題】使用する歪ゲージの総数を減らすことで、チップの小型化、高感度化、消費電力の低減を可能とする6軸力覚センサを提供する。【解決手段】外端部を台座2に固定されたセンサ基部3と、該センサ基部の略中央部に設けられ、外部から力が加えられる力作用部4と、前記センサ基部上に設けられ、前記センサ基部に生じる歪を検知する歪ゲージ5と、該歪ゲージの抵抗変化を測定するブリッジ回路とを具備し、前記力作用部に加えられた力を、前記センサ基部上面において互いに直交する第1軸及び第2軸と、前記センサ基部に直交する第3軸について、各軸方向への力、及び各軸回りのモーメントの6つの軸力に分けて検出する6軸力覚センサにおいて、センサ基部の上面を、シリコン半導体の面方位(111)の結晶面とした。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
外端部を台座に固定されたセンサ基部と、該センサ基部の略中央部に設けられ、外部から力が加えられる力作用部と、前記センサ基部上に設けられ、前記センサ基部に生じる歪を検知する歪ゲージと、該歪ゲージの抵抗変化を測定するブリッジ回路とを具備し、前記力作用部に加えられた力を、前記センサ基部上面において互いに直交する第1軸及び第2軸と、前記センサ基部に直交する第3軸について、各軸方向への力、及び各軸回りのモーメントの6つの軸力に分けて検出する6軸力覚センサにおいて、
前記センサ基部の上面を、シリコン半導体の面方位(111)の結晶面としたことを特徴とする6軸力覚センサ。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (10):
2F051AA10
, 2F051AB09
, 2F051AC01
, 2F051BA07
, 2F051DA03
, 2F051DB03
, 3C007KS33
, 3C007KV06
, 3C007KW00
, 3C007KW03
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