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J-GLOBAL ID：200903023698234658

薄膜および薄膜の製造方法

Inventor： 井上 智博 ,  近藤 浩 ,  松本 文直 ,  金本 明彦
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999284958
Publication number (International publication number)：2001104771
Application date： Oct. 05, 1999
Publication date： Apr. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 疎水性物質の薄膜層と電極との密着性を改善し、実用デバイスへの応用可能な均一な薄膜の製造方法および該薄膜の提供。【解決手段】 疎水性物質を水性媒体中で界面活性剤によりミセル化して可溶化、または分散し、得られたミセル化液を電気化学的に酸化または還元し、電極上に薄膜を形成する製造方法おいて、該電極の表面粗さが、中心線平均粗さRaが0.005〜0.05μmであることを特徴とする薄膜の製造方法、および中心線平均粗さRaが0.005〜0.05μmである表面粗さを有する電極上に電気化学的に酸化または還元して形成された薄膜。

Claim (excerpt)：

疎水性物質を水性媒体中で界面活性剤によりミセル化して可溶化、または分散し、得られたミセル化液を電気化学的に酸化または還元し、電極上に薄膜を形成する製造方法おいて、該電極の表面粗さが、中心線平均粗さRaが0.005〜0.05μmであることを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (3)：

B01J 19/08 ,  C01B 31/02 101 ,  C25D 9/04

FI (4)：

B01J 19/08 F ,  B01J 19/08 A ,  C01B 31/02 101 F ,  C25D 9/04

F-Term (12)：

4G046CB03 ,  4G046CC05 ,  4G075AA24 ,  4G075AA27 ,  4G075AA62 ,  4G075BA06 ,  4G075BC02 ,  4G075BC03 ,  4G075CA20 ,  4G075CA57 ,  4G075FB03 ,  4G075FC11