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J-GLOBAL ID：200903023707499724

結晶質薄膜の製造方法

Inventor： 中村 直樹 ,  長谷川 弘 ,  梶野 浩司 ,  柴田 典義 ,  谷 由加里
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  財団法人ファインセラミックスセンター
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995013376
Publication number (International publication number)：1996203824
Application date： Jan. 31, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 大粒径の結晶質薄膜を基板上に形成可能な方法を提供する。【構成】 希ガスイオン24の加速エネルギー50〜500eVとして、薄膜材料の蒸着中に基板10に希ガスイオンを照射する。そして、蒸着した薄膜に対して各種再結晶化処理を行う。加速エネルギーを50〜500eVとすることにより、蒸着する薄膜の格子中に希ガス原子を残留させることができる。この残留した希ガス原子は、再結晶化処理の際に、薄膜の格子の再配列を妨げるため、薄膜中における結晶核発生密度を低く押さえることができる。これにより、薄膜を形成する基板の種類に関わらず、結晶粒径の大きい結晶質薄膜を基板上に形成することが可能となる。

Claim (excerpt)：

基板上に結晶質の薄膜を製造する方法において、基板上に薄膜材料を蒸着する際に、加速エネルギー50〜500eVの希ガスイオンを照射しながら前記基板上に薄膜を形成し、薄膜の形成後、前記薄膜に対して再結晶化処理を行って結晶質薄膜とすることを特徴とする結晶質薄膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 31/04 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• カルコパイライト薄膜の製造方法及び太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-068057   Applicant：松下電器産業株式会社