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J-GLOBAL ID：200903023731461070
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991196321
Publication number (International publication number)：1993041520
Application date： Aug. 06, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高集積化、多機能化が可能なトンネルトランジタを提供する。【構成】 Si基板1上のSiO2 2の上に縮退していないSi(i-Si)4をはさんで縮退したn+ -Si3と縮退したP+-Si5とを形成する。i-Si4の露出表面にSiO2 層6とポリシリコンゲート電極7を設ける。ゲート電極7に大きな正の電圧を加えるとi-Si4に高濃度に電子が誘起され等価的にn+ -Siとなり、P+ -Si5との間にトンネルダイオードが形成され、電流-電圧特性に微分負性抵抗が現われる。ゲート電圧により微分負性抵抗を制御でき1つのトランジスタで機能素子として動作する。
Claim (excerpt)：
基板上に絶縁領域を有し、この絶縁領域の一部に一導電型を有する縮退した第1の半導体と縮退していない第2の半導体と前記第1の半導体と反対の導電型を有し縮退した第3の半導体とを連結した構造を有し、少なくとも前記第2の半導体の露出表面に第2の半導体よりも禁止帯幅が広い材料からなる絶縁層とこの絶縁層上の電極を有し、前記第1の半導体と第3の半導体にそれぞれオーミック電極を設けることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/784
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/88
H01L 29/78 311 J
, H01L 29/80 H
