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J-GLOBAL ID：200903023734553293
多層回路基板及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小野 由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992291297
Publication number (International publication number)：1994140766
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：
【要約】【目的】 金属配線層の金属の樹脂絶縁層内への拡散を抑制する。【構成】 多層回路基板は、セラミック基板2と、第1樹脂絶縁層3と、その間に配置された金属配線本体11と、金属配線本体11の両主面及び両側面に形成された下面密着層12,上面密着層13及び側面密着層14を備えている。側面密着層14は、エッチング工程で金属配線本体11の側面に隙間を形成し、その隙間に密着層14を形成することで得られる。
Claim (excerpt)：
絶縁体と、前記絶縁体上に積層された樹脂絶縁層と、前記絶縁体と樹脂絶縁層との間に配置された金属配線層と、前記金属配線層の両主面及び両側面に形成された、前記金属配線層と前記樹脂絶縁層との密着性を向上させるための金属密着層と、を備えた多層回路基板。
IPC (3)：
H05K 3/46
, H05K 1/09
, H05K 3/38
