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J-GLOBAL ID:200903023755871503
連続した微細空洞を有する物体の抗生物質による被覆のための方法、こうして被覆された物体及びその使用
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002249580
Publication number (International publication number):2003070900
Application date: Aug. 28, 2002
Publication date: Mar. 11, 2003
Summary:
【要約】【課題】 簡単で廉価な方法で連続した微細空洞を有する物体を抗生物質で被覆して、ポリマーバインダーを省略して容易に数日の時間にわたり抗生物質の遊離を可能にする。【解決手段】 連続した微細空洞を有する物体の微細空洞中に、特に微細空洞中に適当な有機溶剤中のゲンタマイシン-ペンタキス-ドデシルスルフェート又はゲンタマイシン-ペンタキス-ドデシルスルホネートの溶液を適当な措置、例えば浸漬、噴霧又は滴下によって施与し、かつ有機溶剤の除去の後に微細空洞の表面上にゲンタマイシン-ペンタキス-ドデシルスルフェート又はゲンタマイシン-ペンタキス-ドデシルスルホネートからなる層が残留するように連続した微細空洞を有する物体の微細空洞を抗生物質により被覆する。
Claim (excerpt):
連続した微細空洞を有する物体の抗生物質による被覆のための方法において、微細空洞中にゲンタマイシン1分子あたり1〜5個のドデシルスルフェート基を有するゲンタマイシンドデシルスルフェートを含有し、かつ/又はゲンタマイシン1分子あたり1〜5個のドデシルスルホネート基を有するゲンタマイシン-ドデシルスルホネートを含有する溶液を導入し、かつ溶剤の気化又は蒸発の後にゲンタマイシン-ドデシルスルフェート又はゲンタマイシン-ドデシルスルホネートの層が微細空洞の表面上に生じることを特徴とする、連続した微細空洞を有する物体の抗生物質による被覆のための方法。
IPC (2):
FI (5):
A61L 27/00 G
, A61L 27/00 H
, A61L 27/00 J
, A61L 27/00 L
, A61L 15/03
F-Term (18):
4C081AA02
, 4C081AA12
, 4C081AB04
, 4C081BA14
, 4C081CA161
, 4C081CD121
, 4C081CD151
, 4C081CE01
, 4C081CE02
, 4C081CF011
, 4C081CF031
, 4C081CF111
, 4C081CG02
, 4C081CG03
, 4C081DA01
, 4C081DB03
, 4C081DC03
, 4C081EA06
Patent cited by the Patent:
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