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J-GLOBAL ID：200903023761543720

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 田中 和雄
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991284351
Publication number (International publication number)：1993121734
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】ポリシリコン中のほう素の拡散率を抑制し、P型多結晶シリコンをゲート電極とするMOSトランジスタの特性を安定化させ得る技術を提供する。【構成】ポリシリコン中に窒素を導入させ、引き続いて熱処理を行なうことによって、ポリシリコン中に存在する余分な未結合手を窒素と結合させることによって、ポリシリコン中の不純物の拡散率を低下させる。【構成】不純物の拡散率を低下させることにより、不純物導入後の熱処理温度及び時間に余裕をもてる。このため、不純物導入時に形成される結晶欠陥を十分回復させることが出来、素子の信頼性が向上する。さらに、導入した不純物のイオン化率を高め、配線層との接触抵抗を下げ、トランジスタ部の移動度も5パーセント程度向上する。

Claim (excerpt)：

おもに4族の元素からなり多結晶構造を有している半導体装置に於いて、前記多結晶構造中には1×109[個/cm3]〜5×1020[個/cm3]の窒素原子が含まれている事を特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/265 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭52-146567
  
• 特開昭62-177919
  
• 特開平4-287929