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J-GLOBAL ID：200903023773043928

薄膜太陽電池装置の製造方法

Inventor： 齊藤 清雄
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992015609
Publication number (International publication number)：1993218471
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】可とう性絶縁基板上に形成した薄膜をレーザパターニングする際に、薄膜の応力により基板の平坦性が損なわれても均一なレーザ加工が行われるようにする。【構成】表面上に薄膜を形成した透光性の可とう性絶縁基板1を平滑面を有する透光性の矯正板51,52の間にはさんで平坦性を改善し、矯正板および可とう性基板を通じてのレーザ光投射により基板上の薄膜を加工、分割して直列接続される太陽電池のユニットセルを形成する。

Claim (excerpt)：

透光性の可とう性絶縁基板上に成膜した薄膜を分割することにより形成された、それぞれ第一、第二電極層の間にアモルファス半導体層を有するユニットセルを直列接続してなる薄膜太陽電池の製造方法において、薄膜成膜後少なくとも一面が平滑面である二つの透光性矯正板の平滑面間に可とう性絶縁基板をはさんで固定し、矯正板および可とう性絶縁基板を通してレーザ光を照射することにより薄膜を加工し、分割することを特徴とする薄膜太陽電池装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/302