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J-GLOBAL ID：200903023790187941

半導体装置の製造方法及びその半導体製造装置

Inventor： 境 正憲
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000178453
Publication number (International publication number)：2001358137
Application date： Jun. 14, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】成膜ガスの使用率を高め、半導体装置の製作コストの低減を図ると共に除害装置の負担を軽減することで、除害装置の小容量化を図り、半導体製造装置の設備コストを低減し、更にメインテナンスの負担を軽減する。【解決手段】成膜ガスを被処理基板を収納する空間11に供給後封込め、封込めた状態で前記被処理基板12を前記空間内に所定時間保持して基板に処理を施す。

Claim (excerpt)：

成膜ガスを被処理基板を収納する空間に供給後封込め、封込めた状態で前記被処理基板を前記空間内に所定時間保持して基板に処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (5)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/31 B ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C

F-Term (41)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA24 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030EA08 ,  4K030EA12 ,  4K030LA15 ,  4M104BB01 ,  4M104DD44 ,  4M104DD55 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  5F045AA06 ,  5F045AA20 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EE01 ,  5F045EE11