イオン注入イオン源、システム、および方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001543753
Publication number (International publication number)：2004507861
Application date： Dec. 13, 2000
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

イオン注入システム用のイオン源(1)は、プロセスガスを生成する蒸発器(2)と、電子ビーム(32)を指向してイオン化封入物(16)内のプロセスガスをイオン化する電子源(12)と、ビームダンプ(11)と、イオン化チャンバ(5)と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ(37)とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。

Claim (excerpt)：

工業イオン電流レベルのイオンを、イオン注入器のイオン抽出システムに提供することができるイオン源であって、該イオン源はイオン化封入物を囲む壁によって規定されたイオン化チャンバであって、該イオン化チャンバの側壁に抽出アパーチャが設けられており、該アパーチャは、該抽出システムによって該イオン化封入物からイオン電流を取り出せるような大きさにされ且つ配置された長さおよび幅を有する、イオン化チャンバと、幅広ビーム電子銃であって、一次電子を含む指向性ビームを、該イオン化チャンバを介して、該電子銃と整列されたビームダンプに投射するように、該イオン化チャンバに対して構成され、大きさにされ、且つ配置された電子銃であって、該ビームダンプは、該電子ビーム銃のエミッタ電圧に比例する実質的に正の電圧に維持され、該一次電子のビーム通路の軸は、該アパーチャにほぼ隣接する方向に延び、該アパーチャの幅とほぼ同じかまたは該アパーチャの幅よりも大きな該抽出アパーチャの幅の方向に対応する方向の寸法を有し、好適には、デカボラン等の蒸気を該イオン化封入物に導入するように配置された蒸発器、およびガス源から該イオン化封入物にガスを導入するガス通路の両方が設けられた、幅広ビーム電子銃と、制御システムであって、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムと、を含むイオン源。

IPC (4)：

H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265

FI (5)：

H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317 Z , H01L21/265 603A , H01L21/265 T

F-Term (11)：

5C030DD04 , 5C030DE01 , 5C030DE02 , 5C030DE04 , 5C030DE05 , 5C030DE06 , 5C030DE09 , 5C034CC01 , 5C034CC16 , 5C034CC17 , 5C034CD02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-219540
イオン源装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-032772 Applicant：東京エレクトロン株式会社
特開平2-296558

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