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J-GLOBAL ID：200903023802080056
大電力用半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038154
Publication number (International publication number)：1995249734
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 TFT試験における寿命を大幅に向上させた大電力用半導体装置を提供することである。【構成】 パワー素子が実装された基板と、前記パワー素子に電気的に接続された端子ホルダと、前記パワー素子及び前記端子ホルダをケーシングする外囲器とを有し、前記外囲器と前記基板とによって形成された外囲器内側の空間に前記端子ホルダを外部に導出する形で樹脂が充填された大電力用半導体装置において、前記外囲器の側壁内側の下部に基板装着溝を設け、前記基板は、前記基板装着溝に装着されて前記外囲器の底蓋となるように構成した。
Claim (excerpt)：
断面逆凸型のセラミック板と、そのセラミック板の凸面側と反対の主表面に形成された金属部材とから成る基板と、前記基板の金属部材の表面に実装されたパワー素子とを備えたことを特徴とする大電力用半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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