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J-GLOBAL ID:200903023805098746

水素分離構造体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 五十嵐 孝雄 (外3名) ,  五十嵐 孝雄 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996203238
Publication number (International publication number):1998028850
Application date: Jul. 12, 1996
Publication date: Feb. 03, 1998
Summary:
【要約】【課題】 水素分離構造体10は、広い温度範囲で使用される環境においても、基材12とPdなどからなる第2層16とが剥離することなく、耐久性を改善する。【解決手段】 水素分離構造体10は、多孔質セラミックスからなる基材12と、基材12上に形成された第1層14と、第1層14上に形成されかつPdまたはPdを含む合金からなる第2層16と、を積層して構成されている。第1層14は、基材12と第2層26との間の熱膨脹係数の材料で形成されており、高温雰囲気下において、基材12と第2層26との熱膨張差を緩和して、その剥離を防止する。
Claim (excerpt):
水素ガス及び他の元素のガスを含む混合ガスから、水素ガスを選択的に透過させる水素分離構造体において、多孔質セラミックスまたは多孔質ガラスからなる基材と、基材上に積層された第1層と、第1層上に積層され、PdまたはPd合金からなる第2層と、を備え、上記第1層は、基材の表面の孔の一部を埋めるように形成され、その材料がPdを含まない金属、その金属の粉末に無機材料を混合した材料、またはSiO2またはAl2O3またはZrO2を含む無機材料のいずれかであり、かつその熱膨張係数が上記基材と第2層との間の値の材料で形成され、上記第2層は、第1層の表面の孔を埋めるように形成されたこと、を特徴とする水素分離構造体。
IPC (3):
B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  C01B 3/50
FI (3):
B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  C01B 3/50
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)

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