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J-GLOBAL ID：200903023806265042
ウラン系半導体素子、そのデバイスおよび発電設備
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997334351
Publication number (International publication number)：1999168244
Application date： Dec. 04, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】放射性廃棄物等を熱源とすることが可能な熱電変換用のウラン系半導体素子、そのデバイスおよび発電設備を提供する。【解決手段】金属ウランに3価または5価の不純物を添加してなるウラン系半導体素子24と、このウラン系半導体素子の一面とその他面とに一対の電極3a,3bをそれぞれ介して積層された高熱伝導電気絶縁体4a,4bと、これらウラン系半導体素子と高熱伝導電気絶縁体の積層方向に直交する端面を被覆する低熱伝導電気絶縁体5a,5bと、を具備している。
Claim (excerpt)：
金属ウランにアンチモン、ビスマスもしくはリン等の5価の不純物を添加してn型に形成されてなることを特徴とするウラン系半導体素子。
IPC (4)：
H01L 35/20
, G21H 1/06
, H01L 35/32
, H02N 3/00
H01L 35/20
, G21H 1/06
, H01L 35/32 A
, H02N 3/00 A
