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J-GLOBAL ID:200903023812773963

誘導結合された高密度マルチゾーンプラズマを発生するための装置および方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1998505368
Publication number (International publication number):2000515304
Application date: Jul. 09, 1997
Publication date: Nov. 14, 2000
Summary:
【要約】誘導結合された、高密度のマルチゾーンプラズマソースは、プロセスガスからプラズマを発生するための、個々に制御された第1のRFアンテナを含み、このICPソースにはプロセスガスからプラズマを発生するための、別々に制御された第2のコイルセグメントが含まれる。種々の実施例では、個々に制御されるコイルセグメントの3つ以上の組を使用できる。一実施例では各コイルセグメントに対し別個の電源を別々に使用できる。本発明の別の特徴は、プロセス汚染の可能性を解消し、ソースのハードウェアの信頼性および機能を改善し、プラズマシステムの真空完全性および最終のベース圧力を改善する、ハーメチックシールされた誘導結合されたプラズマソース構造体およびその製造方法にある。
Claim (excerpt):
プラズマ媒体を発生するための誘導結合された、マルチゾーンプラズマソースにおいて、 前記プラズマ媒体に高周波電力を実質的に誘導結合するための第1アンテナ構造体と、 前記プラズマ媒体に別の高周波電力を誘導結合するための少なくとも1つの増設アンテナ構造体とを備え、前記第1アンテナ構造体と前記少なくとも1つの増設アンテナ構造体とが共に作動され、低圧力プラズマ処理装置におかれた少なくとも1つの基板上で実質的に均一なプラズマ処理を提供するようになっている、誘導結合されたマルチゾーンプラズマソース。
IPC (6):
H05H 1/46 ,  H01J 9/20 ,  H01J 9/38 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065
FI (6):
H05H 1/46 L ,  H01J 9/20 A ,  H01J 9/38 A ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/265 603 A ,  H01L 21/302 B

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